一种植入式芯片的封装结构及其制备方法
- 申请号：CN201510742481.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号：CN106653702A
- 公开(公开)日：2017.05.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种植入式芯片的封装结构及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201510742481.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106653702A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 |
| 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 杨扬;唐永炳;李刚 |
| 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种植入式芯片的封装结构及其制备方法 至一种植入式芯片的封装结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种植入式芯片的封装结构及其制备方法。所述植入式芯片的封装结构，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述通孔内设置有电极引线，所述电极引线的上下表面分别依次设置过渡金属层和保护层，且相邻的所述电极引线上的所述过渡金属层和所述保护层互不相连，其中，所述保护层为掺杂金刚石层。 | ||
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