专利详情

专利名称	一种太赫兹光源器件及其制作方法
申请号	CN201510740432.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106653838A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	孙钱;周宇;冯美鑫;高宏伟;秦华;孙建东;杨辉
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01S1/02(2006.01)N
专利有效期	一种太赫兹光源器件及其制作方法至一种太赫兹光源器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的Via结构，所述基于V型坑的Via结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的Via结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。