专利详情

专利名称	一种忆阻器及其应用
申请号	CN201611178578.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106654009A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	诸葛飞;胡令祥;曹鸿涛
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种忆阻器及其应用至一种忆阻器及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种忆阻器，包括：依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层；所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成，其中，硫族化合物层与底电极层相接，氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合，使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压，表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用，该忆阻器表现出很好的突触可塑性，并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性，成功制备出高灵敏性的神经突触仿生器件。