专利详情

专利名称	一种MEMS红外光源及其制作方法
申请号	CN201611265716.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106629577A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	明安杰;刘卫兵;孙西龙;毛海央;陈大鹏
主分类号	B81B7/02(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种MEMS红外光源及其制作方法至一种MEMS红外光源及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法，其中，MEMS红外光源包括衬底、支撑层、金属电极、热偶条结构层、加热电阻层、隔离保护层和辐射层，所述热偶条结构层形成在红外光源内部芯片，形成耦合热电堆形成温度传感器，采用热电堆耦合的温度传感器实时监测红外光源的辐射温度变化，由于热电堆耦合的温度传感器制作工艺成熟，测量精度高，温度测量范围大，具有高灵敏度和稳定性的优势，可有效提高NDIR系统的探测精度和分辨率，在NDIR气体传感领域有应用前景。由于MEMS红外光源的各个结构均可以采用CMOS或MEMS工艺制作，从而便于与MEMS红外光源内部芯片的制作工艺兼容，减小了MEMS红外光源的制作工艺难度。