专利详情

专利名称	一种MEMS红外光源及其制作方法
申请号	CN201611265720.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106629574A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	明安杰;刘卫兵;孙西龙;王玮冰;陈大鹏
主分类号	B81B7/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种MEMS红外光源及其制作方法至一种MEMS红外光源及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法，MEMS红外光源包括衬底、支撑层、第一热敏电阻层、介质层、第二热敏电阻层、隔离保护层、加热电阻层和辐射层，本发明中利用第一热敏电阻层和第二热敏电阻层中的一层热敏电阻层作为温度传感器，直接在外界通过热敏电阻层的阻值变化测量MEMS红外光源的辐射区温度变化；利用另一层作为温度补偿性能，在一定温度范围内于外围的补偿回路中抵消温漂产生的误差，即本发明提供的MEMS红外光源能够在实时监测温度漂移的同时进行实时温度补偿，从而提高MEMS红外光源的测量线性度，避免器受外界环境影响。所述制作方法，便于与红外光源内部芯片工艺兼容，减小了工艺难度。