专利详情

专利名称	Ge?Se?Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法
申请号	CN201611262613.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106601911A	公开（授权）日	2017.04.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘广宇;宋志棠;吴良才;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	Ge?Se?Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法至Ge?Se?Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种Ge?Se?Al?OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，其中，该Ge?Se?Al?OTS材料的化学通式为Ge_xSe_yAl_100?x?y，x、y均指元素的原子百分比，且满足40<x<60，40<y<100?x，本发明所提供的应用Ge?Se?Al?OTS材料的OTS选通器单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变，而且，在撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变，将Ge?Se?Al?OTS材料作为OTS选通器单元的介质时，OTS选通器单元不仅具有阈值电压低、开关比大等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。