硅基InGaAs沟道双栅COMS器件
- 申请号：CN201611226809.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN106601740A
- 公开(公开)日：2017.04.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 硅基InGaAs沟道双栅COMS器件 | ||
| 申请号 | CN201611226809.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106601740A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;王盛凯 |
| 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 硅基InGaAs沟道双栅COMS器件 至硅基InGaAs沟道双栅COMS器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。 | ||
交易流程
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专利 -
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