专利详情

专利名称	一种光透半导体材料及其制备方法
申请号	CN201611197972.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106601592A	公开（授权）日	2017.04.26
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	路金蓉;王磊;刘静
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I
专利有效期	一种光透半导体材料及其制备方法至一种光透半导体材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种光透半导体材料，包括基底和附着于所述基底上的液态金属层；所述液态金属层上方为氧化锌片层结构。本发明还涉及一种光透半导体材料的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上均匀喷涂液态金属层，静置至所述液态金属层的表面形成稳定氧化膜，得复合材料；(2)将步骤(1)所得复合材料浸没于包含硝酸锌、六次甲基四胺和水的基液中，充分静置后取出，即得。本发明提供光透半导体材料，既保留了氧化锌纳米结构本身良好的半导性，又大大提高了其透光性，且该材料的制备方法简单，制备工艺要求低，可广泛应用于电子工业，具有广阔的应用前景。