专利详情

专利名称	一种在碳基材料表面制备MoSi₂涂层的方法
申请号	CN201611214194.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106588122A	公开（授权）日	2017.04.26
申请（专利权）人	中国科学院上海应用物理研究所	发明（设计）人	邱杰;刘华剑;俞国军;刘崎;夏汇浩;谢雷东;侯惠奇
主分类号	C04B41/87(2006.01)I	IPC主分类号	C04B41/87(2006.01)I;C04B35/52(2006.01)I
专利有效期	一种在碳基材料表面制备MoSi₂涂层的方法至一种在碳基材料表面制备MoSi₂涂层的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在碳基材料表面制备MoSi₂涂层的方法。本发明将盐浴工艺与包埋渗硅工艺进行了有机结合，具有工艺操作简单、成本低的优点，并且特别适用于不规则形状的碳基材料部件，有利于规模化生产；不同于现有的以MoSi₂粉末为包埋原料，通过高温烧结直接制备的涂层，本发明以盐浴法制备Mo₂C过渡涂层，Mo₂C深入钉扎到碳基材料内部，显著提高了涂层与基体的结合力；不同于现有的涂层硅化方法，本发明选择NiF₂和/或FeF₃作为活化剂，可有效降低涂层的制备温度（<1000℃，最低可达850℃），制备的涂层致密，没有裂纹缺陷。

交易流程

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