一种磁电复合薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201510654518.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN106567040A
- 公开(公开)日：2017.04.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种磁电复合薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201510654518.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106567040A | 公开（授权）日 | 2017.04.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 董显林;肖玲;陈莹;王根水;刘振 |
| 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种磁电复合薄膜及其制备方法 至一种磁电复合薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种磁电复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜为层状结构，包括锆钛锡酸铅反铁电陶瓷衬底以及沉积在所述衬底上的镧锶锰氧薄膜；所述锆钛锡酸铅的化学结构式为：Pb0.97La0.02(Zr0.58SnxTi0.42-x)O3，其中0.3<x<0.4；所述镧锶锰氧的化学结构式为：La0.7Sr0.3MnO3。本发明的复合薄膜均匀性好、性能稳定，具有良好的电学性能和铁磁性能。 | ||
交易流程
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