一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法
- 申请号：CN201510641683.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN106558603A
- 公开(公开)日：2017.04.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201510641683.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106558603A | 公开（授权）日 | 2017.04.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款;闫江 |
| 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 至一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种围栅纳米线器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成纳米线，纳米线的两端由衬垫支撑；形成包围纳米线的栅极，在栅极两侧形成侧墙；在栅极两侧的纳米线上外延生长源漏外延层，并进行掺杂，以形成源漏区。该方法通过对纳米线的沟道区域和源漏区域分别处理，获得小尺寸的纳米线沟道的同时，可以有效的降低源漏区域的接触电阻，提高器件的性能。 | ||
交易流程
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