专利详情

专利名称	一种鳍及半导体器件的制造方法
申请号	CN201510624492.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106558492A	公开（授权）日	2017.04.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种鳍及半导体器件的制造方法至一种鳍及半导体器件的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种鳍的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始图案层，该初始图案层为半导体材料，并进行氧化工艺，以在初始图案层的侧壁上形成初始氧化层，形成有初始氧化层的初始图案层为第一结构；形成第n+1结构，包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙，第n侧墙为半导体材料，并进行氧化工艺，在第n侧墙的侧壁上形成第n氧化层，形成有第n氧化层的第n侧墙为第n+1结构，n从1至N，N≥1且为正整数；去除初始图案层，以及初始氧化层和第一氧化层至第n氧化层；将第一侧墙至第n侧墙的图案转移到衬底中，以形成鳍。该方法形成高密度的鳍的掩膜，进而提高鳍的集成度，同时，获得的鳍具有更好的形貌。