专利详情

专利名称	一种反向PN型掺杂结构及制备方法
申请号	CN201710063245.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106547122A	公开（授权）日	2017.03.29
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所;青岛海信宽带多媒体技术有限公司	发明（设计）人	刘亚东;储涛;张华
主分类号	G02F1/025(2006.01)I	IPC主分类号	G02F1/025(2006.01)I
专利有效期	一种反向PN型掺杂结构及制备方法至一种反向PN型掺杂结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种反向PN型硅基电光调制器的掺杂结构及制备方法。该掺杂结构集成在一个硅基鱼骨形条形波导上，包括P++型掺杂区域，N++型掺杂区域，P型掺杂区域，P?型掺杂区域，N型掺杂区域，N?型掺杂区域，条形光波导，电极，电极通孔，利用控制离子注入深度的方式制作竖直向反向PN型掺杂结构。本发明中条形光波导内的竖直方向反向PN结的形成主要靠选择不同的离子注入深度，简化了制备工艺步骤，同时降低了离子注入工艺中对掩膜对准精度的要求。