专利详情

专利名称	基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法
申请号	CN201510593955.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106549099A	公开（授权）日	2017.03.29
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	尤立星;李浩;王镇
主分类号	H01L39/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L39/02(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I;G01J11/00(2006.01)I
专利有效期	基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法至基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法，包括：SOI基片，由下至上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅；第一抗反射层，位于顶层硅的表面；第二抗反射层，位于背衬底的表面；深槽，贯穿第二抗反射层、背衬底及埋氧层；光学腔体结构，位于第一抗反射层的表面；超导纳米线，位于第一抗反射层与光学腔体结构之间；反射镜，位于光学腔体结构的表面。通过在衬底上刻蚀深槽，拉近了耦合光纤与器件的距离，避免了传统背面耦合结构超导纳米线单光子探测器件中长聚焦透镜的使用，便于光纤MU头与器件的对准耦合；避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题及衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率，提高了器件探测效率。