
一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装结构
- 申请号:CN201610924314.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN106549299A
- 公开(公开)日:2017.03.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装结构 | ||
申请号 | CN201610924314.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106549299A | 公开(授权)日 | 2017.03.29 |
申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 祝宁华;张志珂;刘宇;白金花;袁海庆 |
主分类号 | H01S5/022(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/022(2006.01)I |
专利有效期 | 一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装结构 至一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装,包括一信号电极,一地电极,一匹配电阻,一电感焊接区和一芯片贴装区。在应用时,偏置电流通过高频电感经电感焊接区注入芯片电极。相比于将电感焊接在匹配电阻与芯片贴装区之间的传统方法,本发明提出的封装结构使得匹配电阻更接近于芯片,有利于改善器件的反射性能;并且有效的减小了电感和传输线之间的寄生电容对器件高频性能的影响,提高了焊接的冗余度,降低了对封装设备的精度要求。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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