专利详情

专利名称	能带缺陷密度分布的测试方法
申请号	CN201510610881.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106546638A	公开（授权）日	2017.03.29
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	戴明志
主分类号	G01N27/24(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/24(2006.01)I
专利有效期	能带缺陷密度分布的测试方法至能带缺陷密度分布的测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种能带缺陷密度分布的测试方法，其包括以下步骤：先提供一测试系统以及一薄膜晶体管，该测试系统包括示波器、脉冲发生器、探针台和电流/电压转换器，该薄膜晶体管的半导体层为待测的氧化物，将该薄膜晶体管置于所述探针台，并将该薄膜晶体管的源极和漏极相连；再通过脉冲发生器通过施加多个不同幅值的脉冲电压，采集获得多个瞬态电流曲线，并对在脉冲电压的下降沿部分之后的瞬态电流随时间进行积分，得到多个电量值，再将多个电量值相减得到多个电量差值，再利用公式得到对应于各能级之间的能带缺陷密度分布。