专利详情

专利名称	电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件
申请号	CN201611213900.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106531884A	公开（授权）日	2017.03.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王开友;杨美音;蔡凯明
主分类号	H01L43/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I
专利有效期	电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件至电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，产生垂直于该层方向的自旋流，位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层反生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。