专利详情

专利名称	太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法
申请号	CN201610930479.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106525896A	公开（授权）日	2017.03.22
申请（专利权）人	中国科学院紫金山天文台	发明（设计）人	刘冬;史生才;王争;李婧
主分类号	G01N25/12(2006.01)I	IPC主分类号	G01N25/12(2006.01)I
专利有效期	太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法至太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法，即采用背向湿法刻蚀的方法实现热弱连接。在该太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法中，探测器被制备在三层结构的SOI基板正面，湿法刻蚀中，基板正面被保护胶保护的同时安装在特殊设计的安装模具中进行密封，保证基板背面与碱性溶液接触。首先基板背面采用干刻法刻蚀掉SOI基板中氮化硅薄膜，形成需要湿法刻蚀的区域，再将基板浸入碱性溶液中，从基板背面湿法刻蚀掉基板中硅，形成热弱连接的结构。本发明利用介质基片与特殊碱性溶液的化学反应，减薄辐射吸收体和测温体背向的基片厚度，实现探测器的热弱连接，提高探测器的探测灵敏度。