专利详情

专利名称	具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法
申请号	CN201611033447.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106409913A	公开（授权）日	2017.02.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;张严波;钟汇才
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法至具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	公开了具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法以及包括这种半导体设置的电子设备。例如，半导体设置可以包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；在栅堆叠和伪栅的侧壁上形成的侧墙；以及设于在第二方向上对准的第一栅堆叠和第二栅堆叠之间用以将它们电隔离的电介质，其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙一体延伸，且该电介质设于第一栅堆叠和第二栅堆叠的一体延伸的侧墙所围绕的空间内，第一栅堆叠和第二栅堆叠在第二方向上的至少一部分间隔小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的线间隔。