专利详情

专利名称	一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器
申请号	CN201610930814.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106451074A	公开（授权）日	2017.02.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王东博;刘舒曼;贾志伟;刘峰奇;王占国
主分类号	H01S5/323(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/323(2006.01)I;H01S5/223(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I
专利有效期	一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器至一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。