一种沉积透明导电薄膜的方法
- 申请号：CN201610915198.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN106435502A
- 公开(公开)日：2017.02.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种沉积透明导电薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201610915198.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106435502A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 杜忠明;刘向鑫 |
| 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种沉积透明导电薄膜的方法 至一种沉积透明导电薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种沉积透明导电薄膜的方法，把直流偏压器和射频电源或者中频电源并联连接到磁控溅射系统靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：第一步，把衬底置于室温下不加热，或者把衬底加热，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；第二步，向磁控溅射腔室通入氩气或者氩气和氧气的混合气体；第三步，打开射频电源或者中频电源；第四步，打开直流偏压器，使靶材偏压为 10到 300V，并开始溅射长膜。 | ||
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