专利详情

专利名称	一种脉冲宽度调制像素曝光方法及像素结构
申请号	CN201610948563.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106375685A	公开（授权）日	2017.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	汪辉;霍书瑶;章琦;汪宁;田犁
主分类号	H04N5/355(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/355(2011.01)I
专利有效期	一种脉冲宽度调制像素曝光方法及像素结构至一种脉冲宽度调制像素曝光方法及像素结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种脉冲宽度调制像素曝光方法及像素结构。该曝光方法，在曝光后通过两个比较器将光电二极管的节点电压分别与高低不同的两个参考电压进行比较得到两组像素信号，再将两组像素信号合成后输出。该脉冲宽度调制像素结构包括复位晶体管、光电二极管、第一比较器、第二比较器、控制开关、组合电路以及计数器。本发明保留了PWM脉冲宽度像素的超低功耗的优点，同时针对PWM像素中像素级数模转化的特点，实现了适用于PWM脉冲宽度调制像素的二次曝光模式。