专利详情

专利名称	高聚物纳米柱阵列、微反应室阵列的制备方法及应用
申请号	CN201510434320.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106365116A	公开（授权）日	2017.02.01
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	周小春;李飞飞
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N33/00(2006.01)I;C08F120/14(2006.01)I;C08J9/26(2006.01)I
专利有效期	高聚物纳米柱阵列、微反应室阵列的制备方法及应用至高聚物纳米柱阵列、微反应室阵列的制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请揭示了一种高聚物纳米柱阵列、微反应室的制备方法及应用，用于解决现有技术中制备纳米级的微反应室阵列成本高，容易对被检测物造成损伤的问题。该方法包括以下步骤：提供具有纳米孔道阵列的模板，该纳米孔道阵列由分布在模板上的纳米级盲孔组成；将高聚物的单体、预聚体、溶融体中的至少一种填充于该模板内并固化成型；去除该模板，获得高聚物纳米柱阵列。