专利详情

专利名称	隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法
申请号	CN201610825825.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106328778A	公开（授权）日	2017.01.11
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所;北京半导体照明科技促进中心	发明（设计）人	郭亚楠;曹峻松;谢海忠;张韵;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I
专利有效期	隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法至隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。