专利详情

专利名称	一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法
申请号	CN201510394667.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106319628A	公开（授权）日	2017.01.11
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	任文才;徐川;陈龙;成会明
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I
专利有效期	一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法至一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及二维过渡族金属碳化物新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法，适于制备大面积的高质量超薄二维过渡族金属碳化物。采用铜箔(上层)/过渡族金属箔片(底层)构成的双金属叠片作为生长基体，在高温下通过CVD技术催化裂解碳源生长出超薄二维过渡金属碳化物晶体，后续刻蚀掉铜基底得到超薄二维过渡族金属碳化物晶体。本发明具有制备工艺简单，产物厚度和尺寸易于调控以及适于大面积制备等特点，从而为高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体在催化、储能、耐磨涂层、透明导电薄膜、热管理以及二维超导领域的研究和应用奠定了基础。