专利详情

专利名称	用于压缩感知CMOS图像传感器的二维随机序列产生电路
申请号	CN201610664364.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106303312A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	汪辉;叶汇贤;章琦;田犁;汪宁;曹虎;黄尊恺
主分类号	H04N5/374(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/374(2011.01)I;H04N5/372(2011.01)I
专利有效期	用于压缩感知CMOS图像传感器的二维随机序列产生电路至用于压缩感知CMOS图像传感器的二维随机序列产生电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于压缩感知CMOS图像传感器的二维随机序列产生电路及其工作方法，包括：行线性反馈移位寄存器，用于产生像素行随机数并通过移位的方法传递给触发器组；列线性反馈移位寄存器，用于产生像素列随机数并通过移位的方法传递给触发器组；触发器组，基于接收到的像素行随机数或/及像素列随机数为逻辑门提供输入信号；逻辑门，基于所述输入信号实现对应的数字逻辑，以为整个像素阵列产生所有的随机数。本发明采用线性反馈移位寄存器和普通移位寄存器相结合的方法实现了一种序列可调、模式可选、行列均随机（二维）、复杂度低便于硬件实现的随机数产生电路。本发明结构简单，在压缩感知CMOS图像传感器设计领域具有广泛的应用前景。