专利详情

专利名称	基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置
申请号	CN201610840597.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106282963A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘文柱;陈仁芳;吴卓鹏;张丽平;孟凡英;刘正新
主分类号	C23C16/24(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/24(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I
专利有效期	基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置至基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。