专利详情

专利名称	一种三维细胞划痕芯片及其制备方法与应用
申请号	CN201610649461.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106281964A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所;中国人民解放军总医院	发明（设计）人	陈健;卫元晨;郝锐;陈峰;王军波;陈德勇;郭伟
主分类号	C12M1/00(2006.01)I	IPC主分类号	C12M1/00(2006.01)I;C12Q1/02(2006.01)I
专利有效期	一种三维细胞划痕芯片及其制备方法与应用至一种三维细胞划痕芯片及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种三维细胞划痕芯片及其制备方法与应用。其中所述三维细胞划痕芯片包括基底和上下两侧开口的小室阵列：所述小室阵列固定于所述基底上使基底封闭小室阵列的其中一侧开口，形成多个单侧开口的三维小室；每个所述小室在基底一侧的部分区域上形成有金属层，所述金属层上进一步形成有自组装硫醇分子层，所述自组装硫醇分子层中的硫醇分子其一端具有与所述金属反应吸附的第一官能团，另一端具有抑制细胞吸附的第二官能团。本发明用含第二官能团的自组装硫醇分子层修饰金表面的方式限制细胞的生长区域，不仅可以培养出不同形貌的三维细胞团，还能使三维细胞团具有清晰的划痕边界，提高三维划痕实验的一致性。