专利详情

专利名称	一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法
申请号	CN201610868474.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106298886A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王盛凯;李跃;刘洪刚;孙兵;常虎东;龚著靖
主分类号	H01L29/423(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I
专利有效期	一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法至一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III?V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOSFET器件的栅控能力，减小了短沟道效应等的影响；垂直方向集成NMOS和PMOS，增加了单位晶圆面积上器件的集成度；采用垂直通孔实现垂直方向的器件互联，有效减小互联引线的长度，提升器件工作速度。本发明所提供的垂直集成双栅MOSFET结构在后摩尔时代CMOS集成技术和高性能III?V族半导体器件方面具有重要的应用价值。