专利详情

专利名称	一种半导体器件的制造方法
申请号	CN201510325365.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106252229A	公开（授权）日	2016.12.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张利斌;韦亚一;殷华湘
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件的制造方法至一种半导体器件的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形，所述第一图形包括关键尺寸图形；形成第一阻挡层，所述第一阻挡层厚度不超过第一图形中最邻近图形的间距的一半；填充凹槽以形成具有平整表面第二阻挡层，并在表面之上形成第二图形；以第二图形为掩膜进行刻蚀，直至暴露待加工层，在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形；以第一掩膜层图形为掩膜对待加工层进行加工。利用本发明提供的方法在套刻容差超过关键尺寸一半时，现有技术中套刻偏差而产生的缝隙，由于第一阻挡层的存在，能保护所述缝隙之下待加工层不受影响，从而能提升套刻的容差，有效的提高了关键图形的均匀性和准确性。