专利详情

专利名称	硅基横向注入激光器及其制备方法
申请号	CN201610836551.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106229813A	公开（授权）日	2016.12.14
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘智;成步文;李传波;薛春来;王启明
主分类号	H01S5/223(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/223(2006.01)I
专利有效期	硅基横向注入激光器及其制备方法至硅基横向注入激光器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。