专利详情

专利名称	利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法
申请号	CN201610527875.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106209003A	公开（授权）日	2016.12.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	欧欣;黄凯;贾棋;张师斌;游天桂;王曦
主分类号	H03H3/02(2006.01)I	IPC主分类号	H03H3/02(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I
专利有效期	利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法至利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极?单晶氧化物?金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。