专利详情

专利名称	存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
申请号	CN201610872907.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106206600A	公开（授权）日	2016.12.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备至存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括存储单元的阵列，各存储单元层中的存储单元沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上对准。每个存储单元包括：依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的存储栅堆叠。同一存储单元层中各存储单元的存储栅堆叠成一体。对于各存储单元，其第一源/漏层与下层的相应存储单元的第二源/漏层一体，其第二源/漏层与上层的相应存储单元的第一源/漏层一体。