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一种LC-VCO的仿真方法及系统

  • 申请号:CN201510214130.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN106202591A
  • 公开(公开)日:2016.12.07
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种LC-VCO的仿真方法及系统
申请号 CN201510214130.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106202591A 公开(授权)日 2016.12.07
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 王海永;霍允杰;陈岚
主分类号 G06F17/50(2006.01)I IPC主分类号 G06F17/50(2006.01)I
专利有效期 一种LC-VCO的仿真方法及系统 至一种LC-VCO的仿真方法及系统 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种LC-VCO的仿真方法,包括:分别获得LC-VCO仿真器模型的NMOS器件和PMOS器件的跨导效率gm/Id与器件参数的关系曲线;设定初始跨导效率(gm/Id)0;根据关系曲线,获得NMOS器件在(gm/Id)0+△n下的N器件电性参数值,获得PMOS器件在(gm/Id)0-△n下的P器件电性参数值;分别获得N器件电性参数值和P器件电性参数值下的器件参数值;以所述器件参数值进行电路等效模型的仿真,获得仿真结果;判断是否进行迭代。该方法使得低频偏处的相位噪声获得最优值,从而改善低频偏出的相位噪声。

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