专利详情

专利名称	碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
申请号	CN201610794235.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106206323A	公开（授权）日	2016.12.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宋凌云;申华军;汤益丹;邓小川;白云;郭飞;柏思宇
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I
专利有效期	碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法至碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P⁺离子注入区及温度传感器N⁺离子注入区，温度传感器P⁺离子注入区及温度传感器N⁺离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。