专利详情

专利名称	多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用
申请号	CN201510225006.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106191770A	公开（授权）日	2016.12.07
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所;航天材料及工艺研究所	发明（设计）人	曾志翔;刘二勇;周军;范锦鹏;乌学东;曹慧军
主分类号	C23C14/06(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I
专利有效期	多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用至多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用。在一实施例之中，该方法包括：选择单晶硅靶为阴极，在氮气气氛下利用磁控溅射沉积技术制备氮化硅封孔涂层，随后采用一定的热处理工艺进行高温烧结，然后利用疏水改性剂进行疏水处理，从而获得多孔氮化硅基封孔涂层，该封孔涂层与多孔氮化硅基材的结合性良好，且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷和高透波性等优势，可应用于多种领域。本发明通过多种技术相复合制备氮化硅基封孔涂层，获得了具有优良综合性能的氮化硅基封孔涂层，因而可以实现对多孔氮化硅基体的有效防护。