专利详情

专利名称	存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
申请号	CN201610872345.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106158877A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备至存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。存储器件可以包括：衬底上向上延伸的多个第一柱状有源区和多个第二柱状有源区，分别排列为第一、第二阵列，每一第一柱状有源区包括源/漏层和沟道层的交替堆叠，各第一柱状有源区中相应的沟道层处于实质上相同的平面上，且相应的源/漏层处于实质上相同的平面上，每一第二柱状有源区包括一体延伸的有源半导体层；位于各第二柱状有源区下部的柱状导电接触部；绕各柱状导电接触部的外周形成的绝缘层；分别与沟道层所在的各平面处于实质上相同的平面中且分别环绕相应平面上各沟道层的外周的多层第一存储栅堆叠；环绕各第二柱状有源区外周的多层第二存储栅堆叠。