
一种等离子喷涂制备热电池CoS2正极薄膜的方法
- 申请号:CN201610662950.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院过程工程研究所
- 公开(公开)号:CN106159194A
- 公开(公开)日:2016.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种等离子喷涂制备热电池CoS2正极薄膜的方法 | ||
申请号 | CN201610662950.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106159194A | 公开(授权)日 | 2016.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明(设计)人 | 朱永平;胡静;王学营;禇颖;赵丽利 |
主分类号 | H01M4/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M4/08(2006.01)I;H01M6/36(2006.01)I |
专利有效期 | 一种等离子喷涂制备热电池CoS2正极薄膜的方法 至一种等离子喷涂制备热电池CoS2正极薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供了一种等离子喷涂制备热电池CoS2正极薄膜的方法,所述方法包括以下步骤:将原料Co粉和S粉混合均匀,在保护气体保护下,经二次升温反应得到粉体,所得粉体经研磨过筛处理后,在保护气体保护下,加热去除未反应的S粉,制得单相CoS2粉体;将制得的CoS2粉体与S粉混合,在保护气体保护下,加热保温使S粉充分融化并包覆于CoS2粉体颗粒表面,得到包覆粉体;得到的包覆粉体经研磨过筛处理后作为喷涂粉料;在保护气体保护下,通过等离子喷涂将所得喷涂粉料喷涂至基体表面形成CoS2正极薄膜。本发明得到的CoS2正极薄膜致密性好,与基体的结合强度高,厚度易控,且该方法易操作,工艺过程简单,生产效率高。 |
交易流程
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