专利详情

专利名称	一种集成电路结构及其制造方法、半导体器件
申请号	CN201510202281.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106158853A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	焦斌斌
主分类号	H01L27/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/04(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I
专利有效期	一种集成电路结构及其制造方法、半导体器件至一种集成电路结构及其制造方法、半导体器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种集成电路结构的制造方法，包括步骤：提供第一晶片，第一晶片上形成有第一电路结构及其上的第一顶层钝化层；提供第二晶片，第二晶片的第一表面上形成有对准标记；在第二晶片上形成第二电路结构的第二掺杂区；将第二晶片的第一表面朝向第一顶层钝化层，进行第一晶片和第二晶片的键合；将第二晶片减薄至第二掺杂区；在第二晶片上形成第二电路结构的第二栅极及第二互联结构，并在第二互联结构的其中一层与第一电路结构的第一互联结构的其中一层之间形成晶片间互联线；覆盖第二顶层钝化层。晶片间的互联线与芯片内的引线间距相当，具有更小的芯片间导通距离，无需大尺寸的通孔即可实现晶片间的导通，工艺易于实现且集成度高。