专利详情

专利名称	一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统
申请号	CN201510158767.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106156384A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐勤志;陈岚
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统至一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法，通过对仿真窗口的划分，获得仿真窗口内沟槽图形的等效参数；根据入射粒子淀积体积与等效沟槽表面积的线性关系，获得仿真窗口内的实际淀积体积；并根据淀积后沟槽图形的几何关系和等效参数，获得仿真窗口内的等效淀积体积；实际淀积体积与等效淀积体积为淀积体积的不同表达方式；通过等效淀积体积和表面高度的几何关系，即可获得淀积表面高度，并可进行全芯片铝栅表面淀积高度形貌仿真，不但能保持较高的模型精度，而且能显著提高仿真速度，是速度和精度的有效结合，可以满足芯片级PVD和CMP工艺仿真精度和计算速度的要求。