
一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
- 申请号:CN201510174215.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN106145932A
- 公开(公开)日:2016.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 | ||
申请号 | CN201510174215.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106145932A | 公开(授权)日 | 2016.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 李永祥;苗纪远;刘志甫 |
主分类号 | C04B35/468(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 至一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法,所述介质材料的组成化学式为(1-n)?Ba1-yCayTi1-xZrxO3-n?(Na0.52K0.48)1-mLimNbO3,其中0≤x≤0.05,0≤y≤0.05,0<m≤0.06,0.04≤n≤0.2。所述的可用于多层陶瓷电容器的介质材料具有良好的温度稳定性,高的介电常数,低的介电损耗和高的技术可靠性。 |
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