专利详情

专利名称	一种用于光生阴极保护的NiSe₂/TiO₂复合纳米管阵列膜及其制备和应用
申请号	CN201610709737.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106119858A	公开（授权）日	2016.11.16
申请（专利权）人	中国科学院海洋研究所	发明（设计）人	王秀通;韦秦怡;张巧霞;李红;李鑫冉;侯保荣
主分类号	C23F13/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23F13/08(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I
专利有效期	一种用于光生阴极保护的NiSe₂/TiO₂复合纳米管阵列膜及其制备和应用至一种用于光生阴极保护的NiSe₂/TiO₂复合纳米管阵列膜及其制备和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种复合纳米管光阳极，尤其是涉及一种用于光生阴极保护的NiSe₂/TiO₂复合纳米管阵列膜及其制备和应用。复合纳米管阵列膜的平均管径为60?70纳米，管厚为1.7?2微米；其中，NiSe₂颗粒通过循环伏安电沉积的方法被修饰在TiO₂基体纳米管管口周围。本发明材料与304不锈钢藕连可明显降低其腐蚀电位，具有实验操作简单易行，产品安全可靠、光电转换效率高、性能稳定的特点。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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