专利详情

专利名称	一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
申请号	CN201610542757.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106129113A	公开（授权）日	2016.11.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙博韬;王立新;单尼娜
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管至一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二栅极与衬底之间的栅氧化层厚度为第二厚度；其中，所述第二栅极通过开关与刷新结构连接，以能将所述第二栅极刷新至初始电位。本发明提供的晶体管，用以解决现有技术中的VDMOS需要较厚的栅氧化层厚度来满足电压要求，但较厚的栅氧化层会加速器件受到辐照时阈值电压的漂移，导致的易出现阈值电压漂移失效的技术问题。实现了减缓阈值电压漂移，提高可靠性的技术效果。