专利详情

专利名称	一种双空腔压力计芯片及其制造工艺
申请号	CN201610412814.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106124117A	公开（授权）日	2016.11.16
申请（专利权）人	中国科学院地质与地球物理研究所;王文	发明（设计）人	张轶铭;曾凡;王文;周显良
主分类号	G01L9/06(2006.01)I	IPC主分类号	G01L9/06(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	一种双空腔压力计芯片及其制造工艺至一种双空腔压力计芯片及其制造工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及传感器领域，特别涉及一种双空腔压力计芯片以及其制造方法。一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的压力计芯片；所述压力计芯片在所述腔体内受被检测的外界压力均匀压缩并且能够自由的产生形变。所述压力计芯片基本由单晶硅制成，包括相互连接的盖板、基板及底板；所述盖板上形成有凹陷部，并与所述基板形成一个密封的上空腔，所述基板与所述盖板之间形成有氧化硅层；所述基板包括压阻测量元件，所述压阻测量元件位于所述上空腔之内；所述底板上形成有凹陷部，并与所述基板形成一个密封的下空腔。本压力计芯片适合测量超高压力，受温度影响较小，可以在高温的环境中使用，而且具有检测精度高、可靠性高、制造成本低等特点。