专利详情

专利名称	一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN201610414390.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106083058A	公开（授权）日	2016.11.09
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈健;陈军军;黄政仁;陈忠明;刘学建
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/634(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I
专利有效期	一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法至一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅基复相压敏陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB₂第二相材料，所述ZrB₂第二相材料的含量≤18wt%，优选为2～18wt%。综上本发明制备的SiC基复相压敏陶瓷材料通过伏安特性测试，表现为明显的非线性压敏特性。其具有特殊的应用价值，有望作为在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的电子元件。本发明所述方法为常压烧结，可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。