一种热阻获取方法
- 申请号：CN201610632860.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN106093744A
- 公开(公开)日：2016.11.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种热阻获取方法 | ||
| 申请号 | CN201610632860.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106093744A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;李彬鸿;罗家俊;韩郑生 |
| 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2014.01)I |
| 专利有效期 | 一种热阻获取方法 至一种热阻获取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明属于半导体可靠性技术领域，公开了一种热阻获取方法，包括：在MOS器件所在的硅膜上制作有源区扩散电阻；获取所述电阻的电阻温度特性；获取所述MOS器件工作时的电阻的阻值；依据所述电阻温度特性,得到所述电阻的温度；获取所述电阻的在所述MOS器件工作前后的温差ΔT,以及MOS器件的热耗散功率ΔP；依据公式Rth＝ΔT/ΔP计算热阻Rth。本发明提供了一种可靠性和精度更高热阻获取方法。 | ||
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