专利详情

专利名称	一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用
申请号	CN201610295064.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106018347A	公开（授权）日	2016.10.12
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	崔大付;陈兴;张璐璐;徐春方;李亚亭;任艳飞
主分类号	G01N21/552(2014.01)I	IPC主分类号	G01N21/552(2014.01)I
专利有效期	一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用至一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用。该制备方法包括：(1)清洗玻璃基片后烘干；(2)制备铬膜，再在铬膜上制备金膜，得裸金芯片；(3)滴加含改性牛血清白蛋白的溶液，使铺满整个芯片，继续滴加直至浸泡整个芯片，密封振荡反应0.5～2小时后清洗干燥；(4)滴加NHS和EDC的混合溶液，使铺满整个芯片，继续滴加直至浸泡整个芯片，密封振荡反应15分钟～1小时后清洗干燥；(5)滴加溴乙酸溶液，使铺满整个芯片，继续滴加直至浸泡整个芯片，密封振荡反应8～24小时后清洗干燥，得空白芯片。本发明的制备方法只需2天即可完成，且得到的芯片比传统葡聚糖芯片(需要5天制备)具有更好的均匀性。