专利详情

专利名称	一种半导体场效应晶体管及其制造方法
申请号	CN201610562559.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106024899A	公开（授权）日	2016.10.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙博韬;王立新;张彦飞
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种半导体场效应晶体管及其制造方法至一种半导体场效应晶体管及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽依次在半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得半导体场效应晶体管。本发明有效解决了现有后栅氧工艺制造的VDMOS的开通延迟时间会比较长的技术问题，进而减少了后栅氧工艺制造半导体场效应晶体管的开通延迟时间，以有效提高了后栅氧工艺的VDMOS的质量。