专利详情

专利名称	二维光子准晶宽区半导体激光器结构
申请号	CN201610563190.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106025797A	公开（授权）日	2016.10.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	贾志伟;王利军;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;王占国
主分类号	H01S5/223(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/223(2006.01)I
专利有效期	二维光子准晶宽区半导体激光器结构至二维光子准晶宽区半导体激光器结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。