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一种用于光生阴极保护的N719/TiO2/FTO复合薄膜光阳极的制备方法

  • 申请号:CN201610401889.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院海洋研究所
  • 公开(公开)号:CN106011872A
  • 公开(公开)日:2016.10.12
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种用于光生阴极保护的N719/TiO2/FTO复合薄膜光阳极的制备方法
申请号 CN201610401889.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106011872A 公开(授权)日 2016.10.12
申请(专利权)人 中国科学院海洋研究所 发明(设计)人 王秀通;韦秦怡
主分类号 C23F13/12(2006.01)I IPC主分类号 C23F13/12(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I
专利有效期 一种用于光生阴极保护的N719/TiO2/FTO复合薄膜光阳极的制备方法 至一种用于光生阴极保护的N719/TiO2/FTO复合薄膜光阳极的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种吸附了染料敏化剂的纳米多孔半导体薄膜光阳极,尤其是一种用于光生阴极保护的N719/TiO2/FTO复合薄膜光阳极的制备方法。首先,清洗导电玻璃,晾干后在其导电面上用3M胶带贴出薄膜附着区域;其次,以P25粉末、乙醇、乙酰丙酮、曲拉通X?100和去离子水为原料研磨成TiO2胶体,将胶体刮涂于导电玻璃导电面贴出的区域内,自然晾干后经煅烧处理得二氧化钛纳米多孔半导体薄膜;最后,将薄膜浸渍于N719染料中24h,取出自然晾干后煅烧处理得到N719/TiO2/FTO复合薄膜光阳极。本发明对304不锈钢显示出优良的光生阴极保护作用,具有操作简单易行,产品光电转换效率高等特点。

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